BU800S Todos los transistores

 

BU800S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BU800S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W
   Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 700 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 2.2
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BU800S Datasheet (PDF)

 9.1. Size:207K  inchange semiconductor
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BU800S

isc Silicon NPN Power Transistor BU800DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOCollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 5.0V(Max.)@ I = 5.0ACE(sat) CBuilt-in Damper DiodeWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for horizontal deflection output applications

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History: KRC838E | BC131C | 3DD15 | CHDTA143EEGP | BF241 | KTD1003 | 2SC1641

 

 
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