BU800S Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BU800S

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 12 W

Tensión colector-base (Vcb): 1500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 700 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 2.2

Encapsulados: TO3

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BU800S datasheet

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BU800S

isc Silicon NPN Power Transistor BU800 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 5.0V(Max.)@ I = 5.0A CE(sat) C Built-in Damper Diode Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for horizontal deflection output applications

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