BU910 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BU910
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
Paquete / Cubierta: TO220
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BU910 Datasheet (PDF)
bu910.pdf

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor BU910DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for applications such as electronic ignition, DCand AC motor controls, solenoid drivers,etc.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
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History: ERS375 | UN1122 | SU508 | MQ1893R | HM965 | 2SD1851 | 2SB508C
History: ERS375 | UN1122 | SU508 | MQ1893R | HM965 | 2SD1851 | 2SB508C



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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