BUF744 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUF744

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 50 W

Tensión colector-base (Vcb): 550 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BUF744

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUF744 datasheet

 9.1. Size:216K  inchange semiconductor
 buf742.pdf pdf_icon

BUF744

isc Silicon NPN Power Transistor BUF742 DESCRIPTION Collector Emitter Breakdown Voltage V = 400V(Min.) (BR)CEO Collector Saturation Voltage V = 0.2V(Max) @ I = 0.8A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for electronic lamp ballast circuits switch-mode power supplies applications. ABSOLUTE MAX

Otros transistores... BUF646A, BUF650, BUF653, BUF654, BUF660, BUF672, BUF725D, BUF742, BC557, BUH100, BUH1015, BUH1215, BUH150, BUH2M20AP, BUH2M20P, BUH313, BUH313D