BUH2M20AP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUH2M20AP
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 2000 V
Tensión colector-emisor (Vce): 1200 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de BUH2M20AP
BUH2M20AP Datasheet (PDF)
buh2m20.pdf

BUH2M20APHIGH VOLTAGE NPN SILICONPOWER TRANSISTOR EXTRA HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW OUTPUT CAPACITANCE CHARACTERIZED FOR LINEAR MODEOPERATION.APPLICATIONS: DESIGNED SPECIFICALLY FOR DYNAMICFOCUS IN CTV AND MONITOR. 3DESCRIPTION 21The BUH2M20AP is manufactured usingMultiepitaxial Mesa technology for cost-effectiveTO-220high performance.INTERNAL SCHEMATIC D
Otros transistores... BUF672 , BUF725D , BUF742 , BUF744 , BUH100 , BUH1015 , BUH1215 , BUH150 , 100DA025D , BUH2M20P , BUH313 , BUH313D , BUH315 , BUH315D , BUH315DXI , BUH415DXI , BUH417 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet