BUH2M20AP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUH2M20AP

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 2000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO220

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BUH2M20AP datasheet

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BUH2M20AP

BUH2M20AP HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR EXTRA HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW OUTPUT CAPACITANCE CHARACTERIZED FOR LINEAR MODE OPERATION. APPLICATIONS DESIGNED SPECIFICALLY FOR DYNAMIC FOCUS IN CTV AND MONITOR. 3 DESCRIPTION 2 1 The BUH2M20AP is manufactured using Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective TO-220 high performance. INTERNAL SCHEMATIC D

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