BUR21 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUR21
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
Paquete / Cubierta: TO3
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BUR21 Datasheet (PDF)
bur21.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUR21DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.0V (Max.) @I = 25ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 10(Min.) @I = 25AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high power applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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