BUT131H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUT131H

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO220

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BUT131H datasheet

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BUT131H

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUT131H DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 450V(Min) High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCES Collector-

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BUT131H

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT131/A DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 450V(Min)- BUT131 500V(Min)- BUT131A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

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