BUT22B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUT22B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
Tensión colector-base (Vcb): 750 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUT22B
BUT22B Datasheet (PDF)
but22b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22B 450V(Min)- BUT22C High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMET
but22bf cf.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22BF/CF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22BF 450V(Min)- BUT22CF High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PAR
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History: J13007-1A
History: J13007-1A
Liste
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