BUT22B Todos los transistores

 

BUT22B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUT22B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 750 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO220

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BUT22B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  inchange semiconductor
 but22b c.pdf

BUT22B BUT22B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22B 450V(Min)- BUT22C High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMET

 0.1. Size:103K  inchange semiconductor
 but22bf cf.pdf

BUT22B BUT22B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUT22BF/CF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 400V(Min)- BUT22BF 450V(Min)- BUT22CF High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems etc. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PAR

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History: DTC115EUAFRA | IR4046

 

 
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