BUT56A-668 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUT56A-668

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TOP3

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BUT56A-668 datasheet

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BUT56A-668

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUT56 BUT56A DESCRIPTION With TO-220C package High voltage;high speed High power dissipation APPLICATIONS Switching mode power supply PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolut maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE

 8.2. Size:214K  inchange semiconductor
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BUT56A-668

isc Silicon NPN Power Transistor BUT56AF DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching High Power Dissipation With TO-220Fa Package 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching mode power supply applications. ABSOLUTE MAXIM

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