BUV11N Todos los transistores

 

BUV11N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV11N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 220 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUV11N Datasheet (PDF)

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BUV11N

Order this documentMOTOROLAby BUV11/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUV11SWITCHMODE Series20 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high current, high speed, high power applications.METAL TRANSISTOR High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A200 VOLTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A150 WATTS Very fast switc

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BUV11N

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV11 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V (Max.) @IC= 6A High Switching Speed High DC Current Gain- : hFE= 20(Min.) @IC= 6A APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER V

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History: KTA2014-O | DTL1646 | 2SC5850 | FJN3314R | DT62-350 | BSS73 | SS30101-Q

 

 
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