BUV11N Todos los transistores

 

BUV11N . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV11N
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
   Tensión colector-base (Vcb): 220 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 16 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
 

 Búsqueda de reemplazo de BUV11N

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUV11N Datasheet (PDF)

 9.1. Size:138K  motorola
 buv11rev.pdf pdf_icon

BUV11N

Order this documentMOTOROLAby BUV11/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUV11SWITCHMODE Series20 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high current, high speed, high power applications.METAL TRANSISTOR High DC current gain; hFE min. = 20 at IC = 6 A200 VOLTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.6 V at IC = 6 A150 WATTS Very fast switc

 9.2. Size:77K  inchange semiconductor
 buv11.pdf pdf_icon

BUV11N

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV11 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V (Max.) @IC= 6A High Switching Speed High DC Current Gain- : hFE= 20(Min.) @IC= 6A APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER V

Otros transistores... BUT90 , BUT91 , BUT92 , BUT92A , BUT93 , BUV10N , BUV11 , BUV11CECC , S8550 , BUV12 , BUV18 , BUV18X , BUV19 , BUV1O , BUV20 , BUV21 , BUV21N .

History: GF127 | UN921AJ | 2G140 | 2SA1501 | 2SB954 | C922

 

 
Back to Top

 


 
.