BUV20 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUV20
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUV20
BUV20 Datasheet (PDF)
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BUV20HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESS APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL2EQUIPMENT SWITCHING REGULATORS TO-3DESCRIPTION (version "S")The BUV20 is silicon Multiepitaxial Planar NPNtransistor mounted in jedec TO-3 metal case.
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isc Silicon NPN Power Transistor BUV20DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.6V(Max.) @I = 25ACE(sat) CHigh DC Current Gain-: h = 20(Min.)@ I = 25AFE CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high current, high powerapplications.Absolute maximum rat
buv20rev.pdf
Order this documentMOTOROLAby BUV20/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUV20SWITCHMODE Series50 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high speed, high current, high power applications.METAL TRANSISTOR High DC current gain:125 VOLTShFE min = 20 at IC = 25 A250 WATTShFE min = 10 at IC = 50 A Low VCE(sat):VCE(sat) max. = 0.6 V at
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History: SHA7534 | 2SC1948
Liste
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