BUV20 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUV20
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 160 V
Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 8 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20
Encapsulados: TO3
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BUV20 datasheet
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BUV20 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR HIGH CURRENT CAPABILITY FAST SWITCHING SPEED HIGH RUGGEDNESS APPLICATIONS 1 LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL 2 EQUIPMENT SWITCHING REGULATORS TO-3 DESCRIPTION (version "S") The BUV20 is silicon Multiepitaxial Planar NPN transistor mounted in jedec TO-3 metal case.
buv20.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUV20 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.6V(Max.) @I = 25A CE(sat) C High DC Current Gain- h = 20(Min.)@ I = 25A FE C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high current, high power applications. Absolute maximum rat
buv20rev.pdf
Order this document MOTOROLA by BUV20/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA BUV20 SWITCHMODE Series 50 AMPERES NPN Silicon Power Transistor NPN SILICON POWER . . . designed for high speed, high current, high power applications. METAL TRANSISTOR High DC current gain 125 VOLTS hFE min = 20 at IC = 25 A 250 WATTS hFE min = 10 at IC = 50 A Low VCE(sat) VCE(sat) max. = 0.6 V at
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History: BCP1616A | CIL611
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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