BUV23 Todos los transistores

 

BUV23 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV23
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 325 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3

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BUV23 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  comset
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NPN BUV23POWER SWITCH APPLICATIONSPOWER SWITCH APPLICATIONSThe BUV23 is silicon multiepitaxial mesa NPN transistors in Jedec TO-3.They are intended for use in power switching appications in military and industrial equipments.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Ratings Value UnitCollector-Emitter Voltage IB = 0VCEO 325 VVCBO Collector-Base Voltage IE = 0 400 VVEBO Emitter-Base Vol

 ..2. Size:208K  inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor BUV23DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.8V (Max.) @I = 8ACE(sat) CHigh Switching SpeedHigh DC Current Gain-: h = 15(Min.) @I = 8AFE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum rati

 0.1. Size:139K  motorola
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Order this documentMOTOROLAby BUV23/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABUV23SWITCHMODE Series30 AMPERESNPN Silicon Power TransistorNPN SILICONPOWER. . . designed for high current, high speed, high power applications.METAL TRANSISTOR High DC current gain: HFE min. = 15 at IC = 8 A325 VOLTS Low VCE(sat), VCE(sat) max. = 0.8 V at IC = 8 A250 WATTS Very fast switc

Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
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