BUV406 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV406

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 7 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BUV406

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV406 datasheet

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 buv40.pdf pdf_icon

BUV406

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV40 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.8V (Max.) @IC= 5.5A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 250 V VB

Otros transistores... BUV298CV, BUV298V, BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, BUV40, BC556, BUV41, BUV42, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI, BUV46FI, BUV47