BUV42 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV42

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUV42

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV42 datasheet

 ..1. Size:48K  st
 buv42.pdf pdf_icon

BUV42

BUV42 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE n FAST SWITCHING TIMES n LOW SWITCHING LOSSES n VERY LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH GAIN FOR REDUCED LOAD OPERATION 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit V Collector-emitter Voltage (V = -1.5V) 350 V CEV BE V Collector-emitter Voltage (I = 0) 250 V CEO B

 ..2. Size:117K  inchange semiconductor
 buv42.pdf pdf_icon

BUV42

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUV42 DESCRIPTION With TO-3 package Fast switching times Low collector saturation voltage APPLICATIONS For switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings (Tc=25 ) SYMBOL PARAME

 0.1. Size:227K  inchange semiconductor
 buv42a.pdf pdf_icon

BUV42

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV42A DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.9V(Max.) @IC= 4A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 400 V VBE=

Otros transistores... BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, BUV40, BUV406, BUV41, 2SD669, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI, BUV46FI, BUV47, BUV47A, BUV47AF