BUV42. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUV42

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUV42

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUV42 даташит

 ..1. Size:48K  st
 buv42.pdf pdf_icon

BUV42

BUV42 SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR n SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE n FAST SWITCHING TIMES n LOW SWITCHING LOSSES n VERY LOW SATURATION VOLTAGE AND HIGH GAIN FOR REDUCED LOAD OPERATION 1 2 TO-3 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit V Collector-emitter Voltage (V = -1.5V) 350 V CEV BE V Collector-emitter Voltage (I = 0) 250 V CEO B

 ..2. Size:117K  inchange semiconductor
 buv42.pdf pdf_icon

BUV42

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUV42 DESCRIPTION With TO-3 package Fast switching times Low collector saturation voltage APPLICATIONS For switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings (Tc=25 ) SYMBOL PARAME

 0.1. Size:227K  inchange semiconductor
 buv42a.pdf pdf_icon

BUV42

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV42A DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- VCE(sat)= 0.9V(Max.) @IC= 4A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCEV Collector-Emitter Voltage 400 V VBE=

Другие транзисторы: BUV30, BUV36, BUV36A, BUV37, BUV39, BUV40, BUV406, BUV41, 2SD669, BUV42A, BUV46, BUV46A, BUV46AFI, BUV46FI, BUV47, BUV47A, BUV47AF