BUV42A Todos los transistores

 

BUV42A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUV42A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUV42A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:227K  inchange semiconductor
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BUV42A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor BUV42A DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.9V(Max.) @IC= 4A High Switching Speed APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCEV Collector-Emitter Voltage 400 VVBE=

 9.1. Size:48K  st
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BUV42A

BUV42SILICON NPN SWITCHING TRANSISTORn SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPEn FAST SWITCHING TIMESn LOW SWITCHING LOSSESn VERY LOW SATURATION VOLTAGE ANDHIGH GAIN FOR REDUCED LOADOPERATION12TO-3INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSSymbol Parameter Value UnitV Collector-emitter Voltage (V = -1.5V) 350 VCEV BEV Collector-emitter Voltage (I = 0) 250 VCEO B

 9.2. Size:117K  inchange semiconductor
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BUV42A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BUV42 DESCRIPTION With TO-3 package Fast switching times Low collector saturation voltage APPLICATIONS For switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings (Tc=25) SYMBOL PARAME

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
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