BUV52 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUV52
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 350 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de BUV52
BUV52 Datasheet (PDF)
buv52.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUV52DESCRIPTIONHigh Current CapabilityLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.8V (Max.) @I = 4ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAME
buv52a.pdf

isc Silicon NPN Power Transistor BUV52ADESCRIPTIONHigh Current CapabilityLow Collector Saturation Voltage-: V = 0.9V (Max.) @I = 7ACE(sat) CHigh Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25)SYMBOL PARAM
Otros transistores... BUV48C , BUV48CFI , BUV48CI , BUV48FI , BUV48I , BUV48T , BUV50 , BUV51 , 2N5401 , BUV52A , BUV54 , BUV54A , BUV56 , BUV56A , BUV60 , BUV61 , BUV62 .
History: MJ10002 | 2SA1507R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent