BUV52 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV52

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 350 V

Tensión colector-emisor (Vce): 250 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUV52

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV52 datasheet

 ..1. Size:205K  inchange semiconductor
 buv52.pdf pdf_icon

BUV52

isc Silicon NPN Power Transistor BUV52 DESCRIPTION High Current Capability Low Collector Saturation Voltage- V = 0.8V (Max.) @I = 4A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAME

 0.1. Size:203K  inchange semiconductor
 buv52a.pdf pdf_icon

BUV52

isc Silicon NPN Power Transistor BUV52A DESCRIPTION High Current Capability Low Collector Saturation Voltage- V = 0.9V (Max.) @I = 7A CE(sat) C High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high current, high speed, high power applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAM

Otros transistores... BUV48C, BUV48CFI, BUV48CI, BUV48FI, BUV48I, BUV48T, BUV50, BUV51, C945, BUV52A, BUV54, BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62