BUV66 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV66

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO220

 Búsqueda de reemplazo de BUV66

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV66 datasheet

 ..1. Size:208K  inchange semiconductor
 buv66.pdf pdf_icon

BUV66

isc Silicon NPN Power Transistor BUV66 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 450V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switch mode power supply, UPS, DC and AC motor control applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

Otros transistores... BUV54A, BUV56, BUV56A, BUV60, BUV61, BUV62, BUV62A, BUV63, A1015, BUV66A, BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, BUV82