BUV83 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUV83

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 70 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 35

Encapsulados: TOP3

 Búsqueda de reemplazo de BUV83

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUV83 datasheet

 ..1. Size:220K  inchange semiconductor
 buv82 buv83.pdf pdf_icon

BUV83

isc Silicon NPN Power Transistors BUV82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min)-BUV82 CEO(SUS) = 450V(Min)-BUV83 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in converters, inverters, switching regula- tors, motor control systems and switching applications. A

Otros transistores... BUV66A, BUV70, BUV70F, BUV71, BUV71F, BUV74, BUV74A, BUV82, A1941, BUV89, BUV90, BUV90A, BUV90F, BUV93, BUV94, BUV95, BUV98