BUW25-5 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW25-5

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 8 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BUW25-5 datasheet

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BUW25-5

isc Silicon NPN Power Transistor BUW25 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min.) (BR)CEO High Speed Switching 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in switching mode power supply. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collec

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