BUW34 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW34

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 500 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BUW34 datasheet

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BUW34

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BUW34 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For high voltage ,fast switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 ..2. Size:204K  inchange semiconductor
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BUW34

isc Silicon NPN Power Transistor BUW34 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

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