BUW34. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUW34

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUW34

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUW34 даташит

 ..1. Size:78K  jmnic
 buw34.pdf pdf_icon

BUW34

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BUW34 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For high voltage ,fast switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 ..2. Size:204K  inchange semiconductor
 buw34.pdf pdf_icon

BUW34

isc Silicon NPN Power Transistor BUW34 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

Другие транзисторы: BUW28, BUW29, BUW32, BUW32A, BUW32AP, BUW32APFI, BUW32P, BUW32PFI, TIP142, BUW35, BUW36, BUW37, BUW38, BUW39, BUW40, BUW40A, BUW40B