BUW35 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW35

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W

Tensión colector-base (Vcb): 800 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUW35

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUW35 datasheet

 ..1. Size:76K  jmnic
 buw35.pdf pdf_icon

BUW35

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BUW35 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For high voltage ,fast switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 ..2. Size:204K  inchange semiconductor
 buw35.pdf pdf_icon

BUW35

isc Silicon NPN Power Transistor BUW35 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 400V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high voltage, fast switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltag

Otros transistores... BUW29, BUW32, BUW32A, BUW32AP, BUW32APFI, BUW32P, BUW32PFI, BUW34, 2N2907, BUW36, BUW37, BUW38, BUW39, BUW40, BUW40A, BUW40B, BUW41