BUW35 Todos los transistores

 

BUW35 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW35
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 800 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3

 Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUW35

 

BUW35 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:76K  jmnic
buw35.pdf

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Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors BUW35 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For high voltage ,fast switching applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emitter3 CollectorFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALU

 ..2. Size:204K  inchange semiconductor
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isc Silicon NPN Power Transistor BUW35DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 400V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage, fast switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltag

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