BUW40A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUW40A
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 550 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUW40A
BUW40A Datasheet (PDF)
buw40 buw40a buw40b.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)- BUW40CEO(SUS)= 350V(Min)- BUW40A= 400V(Min)- BUW40BHigh Switching SpeedHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and switching applications.ABSOLUTE MAXIM
buw40 a b.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 300V(Min)- BUW40 = 350V(Min)- BUW40A = 400V(Min)- BUW40B High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONSDesigned for high voltage and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMB
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History: SXW13003-220
History: SXW13003-220
Liste
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