BUW40A Todos los transistores

 

BUW40A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW40A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
   Tensión colector-base (Vcb): 550 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BUW40A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  inchange semiconductor
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BUW40A

isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/BDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 300V(Min)- BUW40CEO(SUS)= 350V(Min)- BUW40A= 400V(Min)- BUW40BHigh Switching SpeedHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high voltage and switching applications.ABSOLUTE MAXIM

 9.1. Size:145K  inchange semiconductor
buw40 a b.pdf pdf_icon

BUW40A

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUW40/A/B DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 300V(Min)- BUW40 = 350V(Min)- BUW40A = 400V(Min)- BUW40B High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONSDesigned for high voltage and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMB

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History: BC857CM | BC856BDW1T1G | HEPS5006 | 2SA1789 | BD13910STU

 

 
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