BUW51 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW51

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 300 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TOP3

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BUW51 datasheet

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BUW51

isc Silicon NPN Power Transistor BUW51 DESCRIPTION High Current Capability Fast Switching Speed Low Saturation Voltage and High Gain Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier applications. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Collector-Emitter

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