BUW57 Todos los transistores

 

BUW57 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW57
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 20 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 400 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUW57 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:204K  inchange semiconductor
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BUW57

isc Silicon NPN Power Transistor BUW57DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 125V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V(Max.) @I = 18ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high current, high speed, high powerapplications.Absolute maximum ratings(Ta=25

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History: BFXP95 | HMBT8550

 

 
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