BUW76 Todos los transistores

 

BUW76 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUW76
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W
   Tensión colector-base (Vcb): 750 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 8 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUW76 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
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BUW76

isc Silicon NPN Power Transistor BUW76DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 350V(Min.)CEO(SUS)High Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIntended in fast switching applications for high output powers.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Emi

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