BUW76 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUW76

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 120 W

Tensión colector-base (Vcb): 750 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO3

 Búsqueda de reemplazo de BUW76

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BUW76 datasheet

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 buw76.pdf pdf_icon

BUW76

isc Silicon NPN Power Transistor BUW76 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 350V(Min.) CEO(SUS) High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Intended in fast switching applications for high output powers. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emi

Otros transistores... BUW66, BUW67, BUW70, BUW71, BUW72, BUW73, BUW74, BUW75, 2N2222A, BUW77, BUW81, BUW81A, BUW84, BUW85, BUW86, BUW87, BUW87A