BUX16B Todos los transistores

 

BUX16B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX16B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W
   Tensión colector-base (Vcb): 375 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 12
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUX16B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux16 bux16a bux16b bux16c.pdf pdf_icon

BUX16B

isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/CDESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)- BUX16CEO(SUS)= 250V(Min)- BUX16A= 300V(Min)- BUX16B= 350V(Min)- BUX16CHigh Power DissipationWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in series regulators,

 9.1. Size:89K  inchange semiconductor
 bux16 a b c.pdf pdf_icon

BUX16B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 200V(Min)- BUX16 = 250V(Min)- BUX16A = 300V(Min)- BUX16B = 350V(Min)- BUX16C High Power Dissipation Wide Area of Safe Operation APPLICATIONSDesigned for use in series regulators, power amplifiers, Inver

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History: 2SB1201T | 2SA89 | 2SA887

 

 
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