BUX16B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX16B

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 100 W

Tensión colector-base (Vcb): 375 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 150 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 12

Encapsulados: TO3

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BUX16B datasheet

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BUX16B

isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 200V(Min)- BUX16 CEO(SUS) = 250V(Min)- BUX16A = 300V(Min)- BUX16B = 350V(Min)- BUX16C High Power Dissipation Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators,

 9.1. Size:89K  inchange semiconductor
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BUX16B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX16/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 200V(Min)- BUX16 = 250V(Min)- BUX16A = 300V(Min)- BUX16B = 350V(Min)- BUX16C High Power Dissipation Wide Area of Safe Operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators, power amplifiers, Inver

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