BUX17B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUX17B
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W
Tensión colector-base (Vcb): 400 V
Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 2.5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 7
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUX17B
BUX17B Datasheet (PDF)
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isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/CDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150V(Min)- BUX17CEO(SUS)= 250V(Min)- BUX17A= 300V(Min)- BUX17B= 350V(Min)- BUX17CHigh Switching SpeedHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in off-line power supplies an
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INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 150V(Min)- BUX17 = 250V(Min)- BUX17A = 300V(Min)- BUX17B = 350V(Min)- BUX17C High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONSDesigned for use in off-line power supplies and is also well suited fo
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