BUX17C Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX17C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-base (Vcb): 450 V

Tensión colector-emisor (Vce): 350 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 2.5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 7

Encapsulados: TO3

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BUX17C datasheet

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BUX17C

isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150V(Min)- BUX17 CEO(SUS) = 250V(Min)- BUX17A = 300V(Min)- BUX17B = 350V(Min)- BUX17C High Switching Speed High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in off-line power supplies an

 9.1. Size:82K  inchange semiconductor
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BUX17C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 150V(Min)- BUX17 = 250V(Min)- BUX17A = 300V(Min)- BUX17B = 350V(Min)- BUX17C High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in off-line power supplies and is also well suited fo

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