BUX17C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX17C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX17C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX17C даташит

 ..1. Size:206K  inchange semiconductor
 bux17 bux17a bux17b bux17c.pdf pdf_icon

BUX17C

isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 150V(Min)- BUX17 CEO(SUS) = 250V(Min)- BUX17A = 300V(Min)- BUX17B = 350V(Min)- BUX17C High Switching Speed High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in off-line power supplies an

 9.1. Size:82K  inchange semiconductor
 bux17 a b c.pdf pdf_icon

BUX17C

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- VCEO(SUS) = 150V(Min)- BUX17 = 250V(Min)- BUX17A = 300V(Min)- BUX17B = 350V(Min)- BUX17C High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONS Designed for use in off-line power supplies and is also well suited fo

Другие транзисторы: BUX15CECC, BUX16, BUX16A, BUX16B, BUX16C, BUX17, BUX17A, BUX17B, NJW0281G, BUX18, BUX18B, BUX18C, BUX20, BUX20A, BUX21, BUX22, BUX23