Биполярный транзистор BUX17C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BUX17C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2.5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7
Корпус транзистора: TO3
BUX17C Datasheet (PDF)
bux17 bux17a bux17b bux17c.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/CDESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 150V(Min)- BUX17CEO(SUS)= 250V(Min)- BUX17A= 300V(Min)- BUX17B= 350V(Min)- BUX17CHigh Switching SpeedHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in off-line power supplies an
bux17 a b c.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX17/A/B/C DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 150V(Min)- BUX17 = 250V(Min)- BUX17A = 300V(Min)- BUX17B = 350V(Min)- BUX17C High Switching Speed High Power Dissipation APPLICATIONSDesigned for use in off-line power supplies and is also well suited fo
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N3037
History: 2N3037
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050