BUX21 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX21

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W

Tensión colector-base (Vcb): 250 V

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 40 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 8 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20

Encapsulados: TO3

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BUX21 datasheet

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BUX21

isc Silicon NPN Power Transistor BUX21 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- High Switching Speed High Current Current Capability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Desinged for use in switching and linear applications in military and industrial equipment. Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETE

 0.1. Size:69K  comset
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BUX21

NPN BUX21A HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER DISSIPATION HIGH CURRENT, HIGH SPEED , HIGH POWER DISSIPATION TRANSISTOR TRANSISTOR The BUX21A is silicon multiepitaxial planar NPN transistors in Jedec TO-3. They are intended for use in switching and linear appications in military and industrial equipment. Compliance to RoHS. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Ratings Value Uni

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