BUX67B Todos los transistores

 

BUX67B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX67B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 325 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO66
 

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BUX67B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  inchange semiconductor
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BUX67B

isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/CDESCRIPTIONContunuous Collector Current-I = 2ACPower Dissipation-P =35W @T = 25D CCollector-Emitter Saturation Voltage-: V )= 2.5V(Max)@ I = 1ACE(sat CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high-speed switching and linear amplifier appli-cation f

 9.1. Size:158K  inchange semiconductor
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BUX67B

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX67/A/B/C DESCRIPTION Contunuous Collector Current-IC= 2A Power Dissipation-PD=35W @TC= 25 Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ IC = 1A APPLICATIONSDesigned for high-speed switching and linear amplifier appli- cation for high-voltage operational amplifiers, s

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History: DBC146-4B | NR431FR | UN6217S | PUMH13 | GES3564 | RN2965FE | BCZ10

 

 
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