2N33 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N33
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.03 W
Tensión colector-base (Vcb): 8.5 V
Tensión colector-emisor (Vce): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.07 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 22 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 22
Paquete / Cubierta: TO7
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2N33 Datasheet (PDF)
2n3390 2n3391 2n3391a 2n3392 2n3393.pdf

Discrete POWER & SignalTechnologies2N33902N33912N3391A2N33922N3393B TO-92CENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 300 mA. Sourcedfrom Process 10. See PN100A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO
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History: 2SB223A | 2N2170 | BUX80-4 | BDX85 | 2SA1494G | 2N3289 | HSBD135
History: 2SB223A | 2N2170 | BUX80-4 | BDX85 | 2SA1494G | 2N3289 | HSBD135



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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