2N33 - описание и поиск аналогов

 

2N33. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N33

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.03 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 8.5 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 22

Корпус транзистора: TO7

 Аналоги (замена) для 2N33

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N33 даташит

 ..1. Size:395K  rca
2n32 2n33 2n34 2n35.pdfpdf_icon

2N33

 0.2. Size:54K  1
2n3368 2n3369 2n3370.pdfpdf_icon

2N33

 0.3. Size:296K  fairchild semi
2n3390 2n3391 2n3391a 2n3392 2n3393.pdfpdf_icon

2N33

Discrete POWER & Signal Technologies 2N3390 2N3391 2N3391A 2N3392 2N3393 B TO-92 C E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 300 mA. Sourced from Process 10. See PN100A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO

Другие транзисторы: 2N3296, 2N3297, 2N3298, 2N3299, 2N3299S, 2N329A, 2N329B, 2N32A, SS8050, 2N330, 2N3300, 2N3300S, 2N3301, 2N3302, 2N3303, 2N3304, 2N3305

 

 

 

 

↑ Back to Top
.