BUX82-6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUX82-6
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
Tensión colector-base (Vcb): 500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 350 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUX82-6
BUX82-6 Datasheet (PDF)
bux82 83.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min)-BUX82 = 450V(Min)-BUX83 High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBUX82 800VCES Collec
bux82 bux83.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)-BUX82(BR)CEO= 450V(Min)-BUX83High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as high-speed power switch at highvoltage.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL
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