BUX82-7 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX82-7

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 400 V

Tensión colector-emisor (Vce): 300 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15

Encapsulados: TO3

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BUX82-7 datasheet

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BUX82-7

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 400V(Min)-BUX82 = 450V(Min)-BUX83 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BUX82 800 VCES Collec

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BUX82-7

isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min)-BUX82 (BR)CEO = 450V(Min)-BUX83 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VAL

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