BUX82-7 Todos los transistores

 

BUX82-7 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUX82-7
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 400 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 300 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUX82-7 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:84K  inchange semiconductor
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BUX82-7

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min)-BUX82 = 450V(Min)-BUX83 High Switching Speed APPLICATIONSDesigned for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITBUX82 800VCES Collec

 9.2. Size:205K  inchange semiconductor
 bux82 bux83.pdf pdf_icon

BUX82-7

isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 400V(Min)-BUX82(BR)CEO= 450V(Min)-BUX83High Switching SpeedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use as high-speed power switch at highvoltage.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL

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History: BC737-10 | K2121A | GMJ3055 | DDTD122JU | 2SC11 | 2SC2073A

 

 
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