BUX82-7. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUX82-7

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BUX82-7

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUX82-7 даташит

 9.1. Size:84K  inchange semiconductor
 bux82 83.pdf pdf_icon

BUX82-7

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V(BR)CEO= 400V(Min)-BUX82 = 450V(Min)-BUX83 High Switching Speed APPLICATIONS Designed for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BUX82 800 VCES Collec

 9.2. Size:205K  inchange semiconductor
 bux82 bux83.pdf pdf_icon

BUX82-7

isc Silicon NPN Power Transistors BUX82/83 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min)-BUX82 (BR)CEO = 450V(Min)-BUX83 High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use as high-speed power switch at high voltage. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VAL

Другие транзисторы: BUX80-6, BUX80-7, BUX81, BUX81-9, BUX82, BUX82-4, BUX82-5, BUX82-6, TIP32C, BUX83, BUX83-9, BUX84, BUX84-6, BUX84F, BUX85, BUX85F, BUX86