BUX86-6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUX86-6
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 600 V
Tensión colector-emisor (Vce): 375 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
Paquete / Cubierta: TO126
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BUX86-6 Datasheet (PDF)
bux86p 87p 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUX86P BUX87P GENERAL DESCRIPTIONHigh voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use inconverters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITBUX 86P 87
Otros transistores... BUX84 , BUX84-6 , BUX84F , BUX85 , BUX85F , BUX86 , BUX86-4 , BUX86-5 , TIP41C , BUX86-7 , BUX86P , BUX87 , BUX87-9 , BUX87P , BUX88 , BUX90 , BUX91 .
History: BD744 | KT639G | BDS28C | CH817UPNGP | 2SA1585S | KT3102DM | FMMT3904R
History: BD744 | KT639G | BDS28C | CH817UPNGP | 2SA1585S | KT3102DM | FMMT3904R



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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