BUX86-6 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUX86-6

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 375 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 5

Encapsulados: TO126

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BUX86-6 datasheet

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BUX86-6

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUX86P BUX87P GENERAL DESCRIPTION High voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use in converters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications. QUICK REFERENCE DATA SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT BUX 86P 87

 9.2. Size:107K  siemens
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BUX86-6

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