BUX86-6 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BUX86-6
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 375 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5
   Paquete / Cubierta: TO126

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BUX86-6

BUX86-6 Datasheet (PDF)

9.1. Size:41K philips
bux86p 87p 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BUX86P BUX87P GENERAL DESCRIPTIONHigh voltage, high speed glass passivated npn power transistors in a SOT82 envelope intended for use inconverters, inverters, switching regulators, motor control systems and switching applications.QUICK REFERENCE DATASYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNITBUX 86P 87

9.2. Size:107K siemens
bux86 bux87.pdf