BUY55 Todos los transistores

 

BUY55 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUY55
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W
   Tensión colector-base (Vcb): 150 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 125 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 8
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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BUY55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:202K  inchange semiconductor
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BUY55

isc Silicon NPN Power Transistor BUY55DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 125V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage-: V = 1.5V@ I = 7ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general switching applications at higher outputs.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

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