BUY55-4 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUY55-4

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 60 W

Tensión colector-base (Vcb): 150 V

Tensión colector-emisor (Vce): 125 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: TO3

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BUY55-4 datasheet

 9.1. Size:202K  inchange semiconductor
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BUY55-4

isc Silicon NPN Power Transistor BUY55 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 125V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V@ I = 7A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general switching applications at higher outputs. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

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