C1003 Todos los transistores

 

C1003 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C1003
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 70 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 150
   Paquete / Cubierta: TO18
 

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C1003 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:449K  kec
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C1003

SEMICONDUCTOR KTC1003TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORB/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATION. ACDIM MILLIMETERSS_FEATURES A 10.0 + 0.3_+B 15.0 0.3ELarge Collector Current Capability. C _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05Large Collector Power Dissipation Capability._E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+J 1

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
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C1003

isc Silicon NPN Power Transistor KTC1003DESCRIPTIONLarge Collector Current Capability-: I = 4A (Max)CCollector Power Dissipation-: P = 30W(Max)CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection outputapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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History: 2N741A | NST489 | NSS60100DMT | 2SA1204 | 2SD1804S | LMUN5213T1G | 2SC3069

 

 
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