C1003 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C1003
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 8 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 70 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 150
Encapsulados: TO18
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C1003 datasheet
ktc1003.pdf
SEMICONDUCTOR KTC1003 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR B/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATION. A C DIM MILLIMETERS S _ FEATURES A 10.0 + 0.3 _ + B 15.0 0.3 E Large Collector Current Capability. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Large Collector Power Dissipation Capability. _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 1
ktc1003.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor KTC1003 DESCRIPTION Large Collector Current Capability- I = 4A (Max) C Collector Power Dissipation- P = 30W(Max) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV horizontal deflection output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
Otros transistores... C055 , C055P , C066 , C066P , C1 , C100 , C1001 , C1002 , 13005 , C1004 , C101 , C102 , C103 , C106 , C112 , C1-12 , C118 .
History: C119 | C1-12
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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