C1003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C1003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для C1003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

C1003 даташит

 0.1. Size:449K  kec
 ktc1003.pdf pdf_icon

C1003

SEMICONDUCTOR KTC1003 TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR B/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATION. A C DIM MILLIMETERS S _ FEATURES A 10.0 + 0.3 _ + B 15.0 0.3 E Large Collector Current Capability. C _ 2.70 0.3 + D 0.76+0.09/-0.05 Large Collector Power Dissipation Capability. _ E 3.2 0.2 + _ F 3.0 0.3 + _ 12.0 0.3 G + H 0.5+0.1/-0.05 _ + J 1

 0.2. Size:212K  inchange semiconductor
 ktc1003.pdf pdf_icon

C1003

isc Silicon NPN Power Transistor KTC1003 DESCRIPTION Large Collector Current Capability- I = 4A (Max) C Collector Power Dissipation- P = 30W(Max) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B/W TV horizontal deflection output applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы: C055, C055P, C066, C066P, C1, C100, C1001, C1002, 13005, C1004, C101, C102, C103, C106, C112, C1-12, C118