Биполярный транзистор C1003 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: C1003
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO18
C1003 Datasheet (PDF)
ktc1003.pdf
SEMICONDUCTOR KTC1003TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTORB/W TV HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT APPLICATION. ACDIM MILLIMETERSS_FEATURES A 10.0 + 0.3_+B 15.0 0.3ELarge Collector Current Capability. C _2.70 0.3+D 0.76+0.09/-0.05Large Collector Power Dissipation Capability._E 3.2 0.2+_F 3.0 0.3+_12.0 0.3G +H 0.5+0.1/-0.05_+J 1
ktc1003.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor KTC1003DESCRIPTIONLarge Collector Current Capability-: I = 4A (Max)CCollector Power Dissipation-: P = 30W(Max)CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for B/W TV horizontal deflection outputapplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050