C740 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C740
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.36 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 450 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 3 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 260
Paquete / Cubierta: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar C740
C740 Datasheet (PDF)
pjc7406.pdf
PPJC7406 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)20 V 1.3A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.3A
pjc7403.pdf
PPJC7403 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -0.7A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-0.7A
pjc7404.pdf
PPJC7404 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET ESD Protected SOT-323 Unit: inch(mm) 20 V 1A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@1.0A
pjc7401.pdf
PPJC7401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit : inch(mm)Voltage -30 V Current -1.5A Features RDS(ON) , VGS@-10V, ID@-1.5A
pjc7400.pdf
PPJC7400 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)30 V 1.9A Voltage Current Features RDS(ON) , VGS@10V, ID@1.9A
pjc7407.pdf
PPJC7407 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-323 Unit: inch(mm)Voltage -20 V Current -1.3A Features RDS(ON) , VGS@-4.5V, ID@-1.3A
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N1676 | 2N5262 | 2SA283
History: 2N1676 | 2N5262 | 2SA283
Liste
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