C9001 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: C9001
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
Tensión colector-base (Vcb): 15 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 15 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: TO46
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar C9001
C9001 Datasheet (PDF)
dsc9001.pdf
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).DSC9001Silicon NPN epitaxial planar typeFor general amplificationComplementary to DSA9001DSC5001 in SSMini3 type package Features Package Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Code Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count. SSMini3-F3-B High forward curren
Otros transistores... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050