CTP1035 Todos los transistores

 

CTP1035 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CTP1035
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.075 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.04 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 60 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1.2 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 28 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
 

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CTP1035 Datasheet (PDF)

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CTP1035

nvertCTP10P095Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.100V P-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

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CTP1035

nvertCTP10N066Suzhou Convert Semiconductor Co ., Ltd.100V N-Channel Trench MOSFETFEATURES Super Low Gate Charge 100% EAS Guaranteed RoHS compliant Green Device Available Excellent CdV/dt effect decline Advanced high cell density Trench technologyAPPLICATIONS Switch Mode Power Supply (SMPS) Uninterruptible Power Supply (UPS) Hard switched an

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History: HBA8573S6R

 

 
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