D42T1 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: D42T1
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 15 W
Tensión colector-base (Vcb): 300 V
Tensión colector-emisor (Vce): 250 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 30
Paquete / Cubierta: TO202
Búsqueda de reemplazo de D42T1
D42T1 Datasheet (PDF)
msd42t1g.pdf

MSD42T1GNPN Silicon GeneralPurpose High VoltageTransistorsThis NPN Silicon Planar Transistor is designed for general purposeamplifier applications. This device is housed in the SC-59 packagehttp://onsemi.comwhich is designed for low power surface mount applications.COLLECTORFeatures3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantMAXIMUM RATIN
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History: D62T3575 | 2N5691



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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