D42T1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D42T1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO202

 Аналоги (замена) для D42T1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D42T1 даташит

 0.1. Size:88K  onsemi
 msd42t1g.pdf pdf_icon

D42T1

MSD42T1G NPN Silicon General Purpose High Voltage Transistors This NPN Silicon Planar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. This device is housed in the SC-59 package http //onsemi.com which is designed for low power surface mount applications. COLLECTOR Features 3 These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant MAXIMUM RATIN

Другие транзисторы: D42D2, D42D3, D42D4, D42D5, D42D6, D42R1, D42R2, D42T, NJW0281G, D42T2, D42T3, D42T4, D42T5, D42T6, D42T7, D42T8, D43C1