D44C12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: D44C12
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 90 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 25 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 100 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TOP66

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar D44C12

D44C12 Datasheet (PDF)

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D45C12 (PNP),D44C12 (NPN)Complementary SiliconPower TransistorThe D45C12 and D44C12 are for general purpose driver ormedium power output stages in CW or switching applications. http://onsemi.comFeatures4.0 AMPERE COMPLEMENTARY Low Collector-Emitter Saturation Voltage - 0.5 V (Max)SILICON POWER High ft for Good Frequency Response Low Leakage Current TRANSISTORS 80

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History: BD637 | MSD601-RT1G

Liste

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