EMB51 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: EMB51

Código: B51

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 22 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 1

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: SC-107C

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EMB51 datasheet

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EMB51

EMB51 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 22k EMB51 R2 (SC-107C) 22k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA024E chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminatin

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