EMB51 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: EMB51

Маркировка: B51

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SC-107C

 Аналоги (замена) для EMB51

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB51 даташит

 ..1. Size:679K  rohm
 emb51.pdf pdf_icon

EMB51

EMB51 Datasheet Complex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors) lOutline l Parameter DTr1 and DTr2 EMT6 VCC -50V IC(MAX.) -100mA R1 22k EMB51 R2 (SC-107C) 22k lFeatures lInner circuit l l 1) Two DTA024E chips in a EMT6 package. 2) Transister elements are independent, eliminatin

Другие транзисторы: DTC144TUA, EMB60, DTC144VKA, DTC144VUA, EMB59, EMB6, DTC144WKA, DTC144WUA, TIP122, EMB52, DTC314TK, EMB53, DTC314TS, EMB3FHA, EMB4, EMB4FHA, DTC343TK