Справочник транзисторов. EMB51

 

Биполярный транзистор EMB51 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: EMB51
   Маркировка: B51
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SC-107C
 

 Аналог (замена) для EMB51

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

EMB51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:679K  rohm
 emb51.pdf pdf_icon

EMB51

EMB51DatasheetComplex Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)lOutlinelParameter DTr1 and DTr2 EMT6VCC-50VIC(MAX.)-100mA R122kEMB51R2 (SC-107C) 22k lFeatures lInner circuitl l1) Two DTA024E chips in a EMT6 package.2) Transister elements are independent, eliminatin

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.